Notice: file_put_contents(): write of 3704 bytes failed with errno=28 No space left on device in /home/libs.com/public_html/libs_chung/v4/_product.php on line 111

Warning: file_put_contents(): Only -1 of 3704 bytes written, possibly out of free disk space in /home/libs.com/public_html/libs_chung/v4/_product.php on line 111
MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy - Linh Kiện Điện Tử - Lotte Market

MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy - Linh Kiện Điện Tử tại Lotte Market

Thương hiệu: | Xem thêm Dụng cụ & thiết bị lớn Thương hiệu  

Mô tả ngắn về MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy - Linh Kiện Điện Tử tại Lotte Market

Công Dụng : MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy. Dòng Max : 50A. dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Wheatley vào năm 1982. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ. collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter
: Còn hàng
: Shopee
380.000đ 380.000đ
** Quét mã QR bằng Zalo để mua trên điện thoại

Giới thiệu MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy - Linh Kiện Điện Tử tại Lotte Market

Công Dụng : MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo MáyMMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy - Linh Kiện Điện Tử
- Công suất max : 1200V
- Dòng Max : 50A
- IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán
dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F.Wheatley vào năm 1982.
- IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường.
- Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.
- Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối với
collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter (tương tự cực gốc) với collector
(tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET.
- Vì thế có thể coi IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một MOSFET.
- Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử được hình thành,
giống như ở cấu trúc MOSFET.
- Các điện tử di chuyển về phía collector vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và
collector ở transistor thường, tạo nên dòng collector.
+ Linh Kiện Hàn Cắt :
- Đảm bảo hàng độc giá tốt nhất toàn thị trường
- Đảm bảo sảm phẩm giống hình
- Nhận hàng rồi thanh toán
- Được kiểm tra rồi nhận hàng
Thông Tin Hỗ Trợ
- Vấn đề kĩ thuật : 0985.414.891
- Mua số lượng lớn : 0985.414.891 (Zalo)
- Địa chỉ : Số 686-688 Đường Long Hưng Tổ 3 Phường Hoàng Diệu TP Thái Bình hoặc
- Truy Cập WEBSITE : linhkienhancat.com

Chi Tiết MMGU50S120B6C IGBT Module Tháo Máy - Linh Kiện Điện Tử