Notice: file_put_contents(): write of 1566 bytes failed with errno=28 No space left on device in /home/libs.com/public_html/libs_chung/v4/_product.php on line 111

Warning: file_put_contents(): Only -1 of 1566 bytes written, possibly out of free disk space in /home/libs.com/public_html/libs_chung/v4/_product.php on line 111
[1 CON] (SOP) Mosfet Dán 20N60 TO-252 20A 600V Kênh N (FQD20N60 FQD 20N60)

[1 CON] (SOP) Mosfet Dán 20N60 TO-252 20A 600V Kênh N (FQD20N60 FQD 20N60) tại Lotte Market

Thương hiệu: | Xem thêm Linh phụ kiện Thương hiệu  

Mô tả ngắn về [1 CON] (SOP) Mosfet Dán 20N60 TO-252 20A 600V Kênh N (FQD20N60 FQD 20N60) tại Lotte Market

MOSFET Dán 20N60 TO-252 20A 600V SMD (Kênh N). FET Type N-Channel. Drain to Source Voltage (Vdss) 650V. 7A (Tc). Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13. Vgs(th) (Max) @ Id 3. Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V. Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V. Power Dissipation (Max) 208W (Tc). Mounting Type
: Còn hàng
: Shopee
25.600đ 25.600đ
** Quét mã QR bằng Zalo để mua trên điện thoại

Giới thiệu [1 CON] (SOP) Mosfet Dán 20N60 TO-252 20A 600V Kênh N (FQD20N60 FQD 20N60) tại Lotte Market

MOSFET Dán 20N60 TO-252 20A 600V SMD (Kênh N)[1 CON] (SOP) Mosfet Dán 20N60 TO-252 20A 600V Kênh N (FQD20N60 FQD 20N60)

Thông số kỹ thuật:

FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 25V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 208W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB


Datasheet:
https://www.promelec.ru/pdf/FCP20N60.pdf

Chi Tiết [1 CON] (SOP) Mosfet Dán 20N60 TO-252 20A 600V Kênh N (FQD20N60 FQD 20N60)

Loại bảo hành Không bảo hành